An insight on plasma-surface interaction mechanisms during cryoetching in SiF4-O2, using in situ XPS - PCM
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

An insight on plasma-surface interaction mechanisms during cryoetching in SiF4-O2, using in situ XPS

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Sciences de l'ingénieur [physics] Chimie Physique [physics]
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Soumis le : jeudi 29 août 2024-12:36:35

Dernière modification le : samedi 31 août 2024-03:16:22

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Dates et versions

hal-04681098 , version 1 (29-08-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04681098 , version 1

Citer

C Cardinaud, A Girard, J Nos, T Tillocher, R Dussart. An insight on plasma-surface interaction mechanisms during cryoetching in SiF4-O2, using in situ XPS. 48th Micro and Nano Engineering (MNE), Michael Kraft; Jean-Francois de Marneffe, Sep 2022, Leuven, Belgium. ⟨hal-04681098⟩

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